报告题目：高迁移率沟道材料CMOS器件与工艺报告人：赵毅 教授 博士生导师
报告时间：2015年6月12日（星期五）上午10:30—11:30
报告地点：南山校区1号楼411室
报告人简介：赵毅，男，1977.8，博导，教授，IEEE 高级会员（Senior Member）。1996年9月－2000年7月 南京航空航天大学 本科2000年9月－2003年7月 浙江大学 硕士2004年10月－2007年9月(日本)东京大学 博士。 多年在日本东京大学，美国IBM国际半导体研发联盟/Globalfoundries公司从事先进集成电路器件与工艺方面的研究。目前的研究方向主要包括：1）新沟道材料CMOS器件，包括锗，III-V族化合物等；2）高性能应变（硅，锗，III-V，GOI等）CMOS器件；2）纳米级CMOS低功耗静态随机存储器（SRAM）电路；3）用于先进CMOS器件的高介电常数（k）栅极介质；4）纳米CMOS器件与工艺的可靠性。他已多次在国际电子器件领域的权威会议IEEE IEDM（2007（邀请报告）, 2008）和VLSI Symposium（2009, 2010）上报告研究成果，以第一作者在权威杂志上发表多篇论文，包括：IEEE Transaction on Electron Devices, IEEE Electron Device Letters，Applied Physics Letters等。
目前担任国家“973” 项目课题（面向16纳米新型低功耗集成电路材料基础研究）的课题负责人。
